1.
Ahmed Mohammed A, Demirel H, Khalaf Mahmood Z. Análisis del diseño del transistor de efecto campo fin con aislantes de alta constante dieléctrica. Nexo Revista Científica [Internet]. 31 de diciembre de 2023 [citado 24 de mayo de 2024];36(06):892-905. Disponible en: https://www.camjol.info/index.php/NEXO/article/view/17445